中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ（ReRAM）のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に向上することに成功

◎中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ（ReRAM）のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に向上することに成功

[中央大学]
【先端研究】
▼中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ（ReRAM）のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に増加させることに成功した。ReRAMはフラッシュメモリの1万倍も高速に書き換えが可能だが、多くの書き換えを繰り返すと、データを記憶するメモリセルが不良し、記憶したデータが破壊されるという問題があった。
このたび竹内教授は不良になるメモリセル（ハードエラー）を事前に予測する技術を開発し、ReRAMの寿命（書き換え可能な回数）を従来の13倍に延ばすことができるようになった。
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