次世代半導体「SiC」の高効率精密研磨法を開発　最先端の省電力・小型電力制御機器の製造コスト低減に期待 — 近畿大学

◎次世代半導体「SiC」の高効率精密研磨法を開発　最先端の省電力・小型電力制御機器の製造コスト低減に期待 — 近畿大学

[近畿大学]
【先端研究】
▼近畿大学理工学部（大阪府東大阪市）機械工学科の講師　村田順二らの研究グループが、次世代の半導体材料であるSiC（炭化ケイ素）の新たな精密研磨技術の開発に成功した。本件に関する論文が、オランダのエルゼビア社が発刊する学術雑誌「International Journal of Machine Tools and Manufacture」に平成28年（2016年）12月13日（火）付で掲載された。
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